TSM052N06PQ56 RLG

制造商编号:
TSM052N06PQ56 RLG
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN
规格说明书:
TSM052N06PQ56 RLG说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5.2 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 50 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3686 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 83W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PDFN(5x6)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
标准包装: 2,500

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型号 品牌 参考价格 说明
TSM045NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation ¥28.11000 类似

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型号:TSM052N06PQ56 RLG

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN

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