MBRM110ET3G

制造商编号:
MBRM110ET3G
制造商:
ON安森美
描述:
DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
规格说明书:
MBRM110ET3G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 3.730071 3.73
10 3.026331 30.26
100 2.063475 206.35

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
二极管类型: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 10 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 530 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 10 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-216AA
供应商器件封装: Powermite
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 12,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
NRVBM110ET1G onsemi ¥3.76000 直接

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MBRM110ET3G

型号:MBRM110ET3G

品牌:ON安森美

描述:DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE

库存:0

单价:

1+: ¥3.730071
10+: ¥3.026331
100+: ¥2.063475
500+: ¥1.547432
1000+: ¥1.160525
2000+: ¥1.064425
12000+: ¥1.064425

货期:1-2天

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