TPN14006NH,L1Q

制造商编号:
TPN14006NH,L1Q
制造商:
Toshiba东芝
描述:
MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
规格说明书:
TPN14006NH,L1Q说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
5000 3.29425 16471.25

规格参数

属性 参数值
制造商: Toshiba(东芝)
系列: U-MOSVIII-H
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14 毫欧 @ 6.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1300 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 700mW(Ta),30W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-TSON Advance(3.1x3.1)
封装/外壳: 8-PowerVDFN
标准包装: 5,000

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TPN14006NH,L1Q

型号:TPN14006NH,L1Q

品牌:Toshiba东芝

描述:MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV

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