IXFV36N50P

制造商编号:
IXFV36N50P
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220
规格说明书:
IXFV36N50P说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: HiPerFET™, PolarP2™
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 170 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 93 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5500 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 540W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PLUS220
封装/外壳: TO-220-3(SMT)标片
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STP18N55M5 STMicroelectronics ¥26.57000 类似
IPP50R190CEXKSA1 Infineon Technologies ¥20.74000 类似
SPP21N50C3XKSA1 Infineon Technologies ¥43.54000 类似

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IXFV36N50P

型号:IXFV36N50P

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220

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