货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥43.326079 | ¥43.33 |
10 | ¥38.901142 | ¥389.01 |
100 | ¥31.875843 | ¥3187.58 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | CoolSiC™+ |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
二极管类型: | 碳化硅肖特基 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): | 650 V |
电流 - 平均整流 (Io): | 9A(DC) |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.7 V @ 9 A |
速度: | 无恢复时间 > 500mA(Io) |
反向恢复时间 (trr): | 0 ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 160 µA @ 650 V |
不同 Vr、F 时电容: | 270pF @ 1V,1MHz |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-220-2 |
供应商器件封装: | PG-TO220-2-1 |
工作温度 - 结: | -55°C ~ 175°C |
标准包装: | 50 |
IDH09G65C5XKSA2
型号:IDH09G65C5XKSA2
品牌:Infineon英飞凌
描述:DIODE SCHOTTKY 650V 9A TO220-2-1
库存:0
单价:
1+: | ¥43.326079 |
10+: | ¥38.901142 |
100+: | ¥31.875843 |
500+: | ¥28.42861 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥43.33