STB141NF55-1

制造商编号:
STB141NF55-1
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
规格说明书:
STB141NF55-1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: STripFET™ II
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 142 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5300 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 300W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: I2PAK
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IPB80N06S209ATMA2 Infineon Technologies ¥6.05703 类似
IRL3705ZLPBF Rochester Electronics, LLC ¥12.59002 类似
BUK9612-55B,118 Nexperia USA Inc. ¥13.29000 类似
IRF3205LPBF Infineon Technologies ¥13.82000 类似

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STB141NF55-1

型号:STB141NF55-1

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK

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