库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.916575 | ￥3.92 |
| 10 | ￥2.940539 | ￥29.41 |
| 100 | ￥1.665352 | ￥166.54 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 180mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 3 欧姆 @ 50mA，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 9.5pF @ 3V |
| 功率 - 最大值: | 150mW |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装: | ES6 |
| 标准包装: | 4,000 |
SSM6N35FE,LM
型号：SSM6N35FE,LM
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
库存：0
单价：
| 1+： | ￥3.916575 |
| 10+： | ￥2.940539 |
| 100+： | ￥1.665352 |
| 500+： | ￥1.102907 |
| 1000+： | ￥0.845557 |
| 2000+： | ￥0.735272 |
| 4000+： | ￥0.735272 |
| 8000+： | ￥0.661739 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.92