IXFN50N120SIC

制造商编号:
IXFN50N120SIC
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B
规格说明书:
IXFN50N120SIC说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 710.018794 710.02
10 674.536092 6745.36
100 607.967356 60796.74

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss): 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 47A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 @ 40A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 100 nC @ 20 V
Vgs(最大值): +20V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1900 pF @ 1000 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: SOT-227B
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
标准包装: 1

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IXFN50N120SIC

型号:IXFN50N120SIC

品牌:IXYS艾赛斯

描述:SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B

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1+: ¥710.018794
10+: ¥674.536092
100+: ¥607.967356

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