IXYN120N65B3D1

制造商编号:
IXYN120N65B3D1
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
IGBT MODULE DISC IGBT SOT-227UI
规格说明书:
IXYN120N65B3D1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
10 386.210308 3862.10

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: GenX3™, XPT™
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: PT
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 250 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 770 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.9V @ 15V,100A
功率 - 最大值: 830 W
开关能量: 1.34mJ(开),1.5mJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 250 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 30ns/168ns
测试条件: 400V,50A,2 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 28 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装: SOT-227B
标准包装: 10

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IXYN120N65B3D1

型号:IXYN120N65B3D1

品牌:IXYS艾赛斯

描述:IGBT MODULE DISC IGBT SOT-227UI

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