货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥8.591597 | ¥8.59 |
10 | ¥7.524797 | ¥75.25 |
100 | ¥5.766317 | ¥576.63 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 31 毫欧 @ 5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 28 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1300 pF @ 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 700mW(Ta) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | TSMT8 |
封装/外壳: | 8-SMD,扁平引线 |
标准包装: | 3,000 |
RQ1E050RPTR
型号:RQ1E050RPTR
品牌:Rohm Semiconductor罗姆
描述:MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
库存:0
单价:
1+: | ¥8.591597 |
10+: | ¥7.524797 |
100+: | ¥5.766317 |
500+: | ¥4.55847 |
1000+: | ¥3.646779 |
3000+: | ¥3.30488 |
6000+: | ¥3.108057 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.59