FCP150N65F

制造商编号:
FCP150N65F
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
规格说明书:
FCP150N65F说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 38.581368 38.58
10 34.679713 346.80
100 28.418416 2841.84

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: HiPerFET™, Polar™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 150 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 2.4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 93 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3737 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 298W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 800

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
TPH3206PD Transphorm ¥86.47000 类似
SPP24N60C3XKSA1 Infineon Technologies ¥58.44000 类似
IPP60R190P6XKSA1 Infineon Technologies ¥27.95000 类似

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FCP150N65F

型号:FCP150N65F

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3

库存:0

单价:

1+: ¥38.581368
10+: ¥34.679713
100+: ¥28.418416
500+: ¥24.192022
1000+: ¥23.185015

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥38.58