货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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3000 | ¥2.287095 | ¥6861.28 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | Automotive, AEC-Q101 |
包装: | 卷带(TR) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N 沟道(双)共漏 |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 24V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | - |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.3V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 37nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 3333pF @ 10V |
功率 - 最大值: | 1.45W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 4-XFBGA,WLBGA |
供应商器件封装: | X1-WLB1818-4 |
标准包装: | 3,000 |
DMN2023UCB4-7
型号:DMN2023UCB4-7
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
库存:0
单价:
3000+: | ¥2.287095 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00