货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥108.855905 | ¥108.86 |
10 | ¥100.069101 | ¥1000.69 |
100 | ¥84.513213 | ¥8451.32 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Transphorm |
系列: | - |
包装: | 管件 |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | GaNFET(共源共栅氮化镓 FET) |
漏源电压(Vdss): | 900 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 15A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 205 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.6V @ 500µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 10 nC @ 8 V |
Vgs(最大值): | ±18V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 780 pF @ 600 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 78W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220AB |
封装/外壳: | TO-220-3 |
标准包装: | 50 |
TP90H180PS
型号:TP90H180PS
品牌:Transphorm
描述:GANFET N-CH 900V 15A TO220AB
库存:0
单价:
1+: | ¥108.855905 |
10+: | ¥100.069101 |
100+: | ¥84.513213 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥108.86