- 制造商编号：
- BAS116E6327HTSA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
- 规格说明书：
- BAS116E6327HTSA1说明书
库存 ：65443
货期： 国内（1~2天）
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.531134 | ￥3.53 |
| 10 | ￥2.893292 | ￥28.93 |
| 100 | ￥1.533557 | ￥153.36 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 不适用于新设计 |
| 二极管类型: | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: | 80 V |
| 电流 - 平均整流 (Io): | 250mA（DC） |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.25 V @ 150 mA |
| 速度: | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr): | 1.5 µs |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 5 nA @ 75 V |
| 不同 Vr、F 时电容: | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装: | PG-SOT23 |
| 工作温度 - 结: | 150°C（最大） |
| 标准包装: | 3,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| CMPD6001 TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | ¥5.45000 | 类似 |
| SBAS16LT1G | onsemi | ¥2.69000 | 类似 |
| BAS16-HE3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ¥1.77000 | 类似 |
| CMPD914E TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | ¥3.46000 | 类似 |
| BAS116,215 | Nexperia USA Inc. | ¥2.15000 | 类似 |
BAS116E6327HTSA1
型号：BAS116E6327HTSA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
库存：65443
单价：
| 1+： | ￥3.531134 |
| 10+： | ￥2.893292 |
| 100+： | ￥1.533557 |
| 500+： | ￥1.008934 |
| 1000+： | ￥0.686084 |
| 3000+： | ￥0.618806 |
| 6000+： | ￥0.538088 |
| 15000+： | ￥0.4679 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.53