库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.593402 | ￥10.59 |
| 10 | ￥9.501734 | ￥95.02 |
| 100 | ￥7.407051 | ￥740.71 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| 二极管类型: | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: | 1000 V |
| 电流 - 平均整流 (Io): | 8A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.1 V @ 8 A |
| 速度: | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 10 µA @ 1000 V |
| 不同 Vr、F 时电容: | 55pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装: | TO-263AB（D²PAK） |
| 工作温度 - 结: | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装: | 800 |
NSB8MT-E3/81
型号：NSB8MT-E3/81
品牌：Vishay威世
描述：DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
库存：0
单价：
| 1+： | ￥10.593402 |
| 10+： | ￥9.501734 |
| 100+： | ￥7.407051 |
| 800+： | ￥6.118945 |
| 1600+： | ￥4.830678 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥10.59