- 制造商编号：
- SH8M13GZETB
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 描述：
- MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL
- 规格说明书：
- SH8M13GZETB说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.449513 | ￥9.45 |
| 10 | ￥8.488398 | ￥84.88 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | - |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6A，7A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 29 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 18nC @ 5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1200pF @ 10V |
| 功率 - 最大值: | 2W |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SOP |
| 标准包装: | 2,500 |
SH8M13GZETB
型号：SH8M13GZETB
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL
库存：0
单价：
| 1+： | ￥9.449513 |
| 10+： | ￥8.488398 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.45