货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | NXP(恩智浦) |
系列: | TrenchMOS™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 33 毫欧 @ 3.5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 700mV @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 28nC @ 5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1478pF @ 10V |
功率 - 最大值: | 2.3W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-TSSOP |
标准包装: | 2,500 |
PMWD30UN,518
型号:PMWD30UN,518
品牌:NXP恩智浦
描述:MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00