库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥39.153312 | ￥39.15 |
| 10 | ￥35.188246 | ￥351.88 |
| 100 | ￥28.831086 | ￥2883.11 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | HEXFET® |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 130A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 7 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 250 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 7670 pF @ 50 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 300W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220AB |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 100 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IXTP180N10T | IXYS | ¥55.45000 | 类似 |
| PSMN9R5-100PS,127 | Nexperia USA Inc. | ¥21.20000 | 类似 |
| IXFP180N10T2 | IXYS | ¥52.30000 | 类似 |
| STP110N10F7 | STMicroelectronics | ¥22.81000 | 类似 |
| PSMN7R0-100PS,127 | Nexperia USA Inc. | ¥25.57000 | 类似 |
IRFB4310PBF
型号：IRFB4310PBF
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
库存：0
单价：
| 1+： | ￥39.153312 |
| 10+： | ￥35.188246 |
| 100+： | ￥28.831086 |
| 500+： | ￥24.641968 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥39.15