- 制造商编号：
- SH8J31GZETB
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 描述：
- 60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET
- 规格说明书：
- SH8J31GZETB说明书
库存 ：10000
货期： 国内（1~2天）
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.673075 | ￥15.67 |
| 10 | ￥14.00546 | ￥140.05 |
| 100 | ￥10.918491 | ￥1091.85 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能: | - |
| 漏源电压（Vdss）: | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.5A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 70 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 40nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2500pF @ 10V |
| 功率 - 最大值: | 2W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SOP |
| 标准包装: | 2,500 |
SH8J31GZETB
型号：SH8J31GZETB
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET
库存：10000
单价：
| 1+： | ￥15.673075 |
| 10+： | ￥14.00546 |
| 100+： | ￥10.918491 |
| 500+： | ￥9.019484 |
| 1000+： | ￥7.120717 |
| 2500+： | ￥6.645999 |
| 5000+： | ￥6.473379 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.67