FQPF7N80C

制造商编号:
FQPF7N80C
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220F
规格说明书:
FQPF7N80C说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 24.630902 24.63
10 22.152892 221.53
100 17.807981 1780.80

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: QFET®
包装: 管件
零件状态: 最后售卖
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.9 欧姆 @ 3.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 35 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1680 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 56W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220F-3
封装/外壳: TO-220-3 整包
标准包装: 1,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
FQP7N80C onsemi ¥23.19000 类似

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型号:FQPF7N80C

品牌:ON安森美

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10+: ¥22.152892
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