货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥5.818911 | ¥5.82 |
10 | ¥5.023162 | ¥50.23 |
100 | ¥3.7527 | ¥375.27 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 15A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 1.8V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 20 毫欧 @ 4.5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 27 nC @ 8 V |
Vgs(最大值): | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1304 pF @ 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.4W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-TSSOP |
封装/外壳: | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
标准包装: | 2,500 |
DMN3020UTS-13
型号:DMN3020UTS-13
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8TSSOP
库存:0
单价:
1+: | ¥5.818911 |
10+: | ¥5.023162 |
100+: | ¥3.7527 |
500+: | ¥2.948721 |
1000+: | ¥2.278464 |
2500+: | ¥2.077463 |
5000+: | ¥1.943417 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥5.82