TH58BYG3S0HBAI6

制造商编号:
TH58BYG3S0HBAI6
制造商:
Kioxia柯夏
描述:
IC FLASH 8GBIT 67VFBGA
规格说明书:
TH58BYG3S0HBAI6说明书

库存 :

货期: 8周-10周

封装: 托盘

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 112.77248 112.77
10 101.844615 1018.45
25 97.10469 2427.62

规格参数

属性 参数值
制造商: Kioxia(柯夏)
系列: Benand™
包装: 托盘
零件状态: 在售
存储器类型: 非易失
存储器格式: 闪存
技术: FLASH - NAND(SLC)
存储容量: 8Gb(1G x 8)
存储器接口: -
写周期时间 - 字,页: 25ns
电压 - 供电: 1.7V ~ 1.95V
工作温度: -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 67-VFBGA
供应商器件封装: 67-VFBGA(6.5x8)
标准包装: 338

文档与视频信息

属性 属性值
规格书 TH58BYG3S0HBAI6

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TH58BYG3S0HBAI6

型号:TH58BYG3S0HBAI6

品牌:Kioxia柯夏

描述:IC FLASH 8GBIT 67VFBGA

库存:

单价:

1+: ¥112.77248
10+: ¥101.844615
25+: ¥97.10469
80+: ¥84.316079
338+: ¥80.526464
676+: ¥73.421126
1014+: ¥67.030806

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥112.77