TH58BYG3S0HBAI6

制造商编号:
TH58BYG3S0HBAI6
制造商:
Kioxia柯夏
描述:
IC FLASH 8GBIT 67VFBGA
规格说明书:
TH58BYG3S0HBAI6说明书

库存 :

货期: 8周-10周

封装: 托盘

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 120.51046 120.51
10 108.83277 1088.33
25 103.767611 2594.19

规格参数

属性 参数值
制造商: Kioxia(柯夏)
系列: Benand™
包装: 托盘
零件状态: 在售
存储器类型: 非易失
存储器格式: 闪存
技术: FLASH - NAND(SLC)
存储容量: 8Gb(1G x 8)
存储器接口: -
写周期时间 - 字,页: 25ns
电压 - 供电: 1.7V ~ 1.95V
工作温度: -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 67-VFBGA
供应商器件封装: 67-VFBGA(6.5x8)
标准包装: 338

文档与视频信息

属性 属性值
规格书 TH58BYG3S0HBAI6

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TH58BYG3S0HBAI6

品牌:Kioxia(柯夏)

描述:IC FLASH 8GBIT 67VFBGA

库存:

单价:

1+: ¥120.51046
10+: ¥108.83277
25+: ¥103.767611
80+: ¥90.101499
338+: ¥86.051856
676+: ¥78.458979
1014+: ¥71.630182
货期: 1-2 天
数量:
- +

单价:¥0.00总价:¥120.51