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货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Nexperia(安世) |
| 系列: | TrenchMOS™ |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 100V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 90 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 21nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 633pF @ 20V |
| 功率 - 最大值: | 2W |
| 工作温度: | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SO |
| 标准包装: | 2,500 |
PHKD3NQ10T,518
型号：PHKD3NQ10T,518
品牌：Nexperia安世
描述：MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
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