IRFR1N60ATRPBF

制造商编号:
IRFR1N60ATRPBF
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
规格说明书:
IRFR1N60ATRPBF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 14.179858 14.18
10 12.763012 127.63
100 10.254978 1025.50

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7 欧姆 @ 840mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 229 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 36W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D-Pak
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRFR1N60ATRPBF-BE3 Vishay Siliconix ¥12.44000 直接

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IRFR1N60ATRPBF

型号:IRFR1N60ATRPBF

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

库存:0

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1+: ¥14.179858
10+: ¥12.763012
100+: ¥10.254978
500+: ¥8.425458
1000+: ¥7.221822
2000+: ¥7.221822

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