SQ2319ADS-T1_GE3

制造商编号:
SQ2319ADS-T1_GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
规格说明书:
SQ2319ADS-T1_GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 6.303426 6.30
10 5.53288 55.33
100 4.243927 424.39

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 75 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 620 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装: 3,000

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SQ2319ADS-T1_GE3

型号:SQ2319ADS-T1_GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3

库存:0

单价:

1+: ¥6.303426
10+: ¥5.53288
100+: ¥4.243927
500+: ¥3.354904
1000+: ¥2.683914
3000+: ¥2.516184

货期:1-2天

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