FDB38N30U

制造商编号:
FDB38N30U
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
规格说明书:
FDB38N30U说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 32.936527 32.94
10 29.562056 295.62
100 24.216989 2421.70

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: UniFET™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 38A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 120 毫欧 @ 19A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 73 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3340 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 313W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 800

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
RCJ330N25TL Rohm Semiconductor ¥23.04000 类似
IXTA36N30P IXYS ¥35.10000 类似
RCJ220N25TL Rohm Semiconductor ¥21.12000 类似

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FDB38N30U

型号:FDB38N30U

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N CH 300V 38A D2PAK

库存:0

单价:

1+: ¥32.936527
10+: ¥29.562056
100+: ¥24.216989
800+: ¥20.615916
1600+: ¥19.75785

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