IXYP20N65C3D1M

制造商编号:
IXYP20N65C3D1M
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
IGBT 650V 18A 50W TO220
规格说明书:
IXYP20N65C3D1M说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
300 23.926416 7177.92

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: GenX3™, XPT™
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: PT
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 18 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 105 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V @ 15V,20A
功率 - 最大值: 50 W
开关能量: 430µJ(开),350µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 30 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 19ns/80ns
测试条件: 400V,20A,20 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 30 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220-3
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IKP08N65H5XKSA1 Infineon Technologies ¥18.12000 类似

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型号:IXYP20N65C3D1M

品牌:IXYS艾赛斯

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