SI1330EDL-T1-GE3

制造商编号:
SI1330EDL-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
规格说明书:
SI1330EDL-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.377062 4.38
10 3.74672 37.47
3000 1.701458 5104.37

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 240mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 3V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.5 欧姆 @ 250mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 280mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SC-70-3
封装/外壳: SC-70,SOT-323
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
RHU002N06T106 Rohm Semiconductor ¥2.92000 类似

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SI1330EDL-T1-GE3

型号:SI1330EDL-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3

库存:0

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1+: ¥4.377062
10+: ¥3.74672
3000+: ¥1.701458

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