STGB19NC60KDT4

制造商编号:
STGB19NC60KDT4
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT 600V 35A 125W D2PAK
规格说明书:
STGB19NC60KDT4说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 59.681136 59.68
10 53.577496 535.77
100 43.89473 4389.47

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: PowerMESH™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 35 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 75 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.75V @ 15V,12A
功率 - 最大值: 125 W
开关能量: 165µJ(开),255µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 55 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 30ns/105ns
测试条件: 480V,12A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 31 ns
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: D2PAK
标准包装: 1,000

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STGB19NC60KDT4

型号:STGB19NC60KDT4

品牌:ST意法半导体

描述:IGBT 600V 35A 125W D2PAK

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1+: ¥59.681136
10+: ¥53.577496
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