货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥6.875764 | ¥6.88 |
10 | ¥6.082502 | ¥60.83 |
100 | ¥4.662589 | ¥466.26 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ON(安森美) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 11A(Ta),69A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 4 毫欧 @ 30A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 11.6 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1683 pF @ 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 770mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN,5 引线 |
标准包装: | 1,500 |
NTMFS4C250NT1G
型号:NTMFS4C250NT1G
品牌:ON安森美
描述:MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN
库存:0
单价:
1+: | ¥6.875764 |
10+: | ¥6.082502 |
100+: | ¥4.662589 |
500+: | ¥3.685733 |
1500+: | ¥3.243434 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6.88