库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Microchip(微芯) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | 2 N-沟道（级联） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 1200V（1.2kV） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 3000 欧姆 @ 2mA，2.8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.6V @ 10µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大值: | 350mW |
| 工作温度: | -25°C ~ 125°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 6-VFLGA |
| 供应商器件封装: | 6-LFGA（3x3） |
| 标准包装: | 3,000 |
LN100LA-G
型号：LN100LA-G
品牌：Microchip微芯
描述：MOSFET 2N-CH 1200V
库存：0
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货期：1-2天
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