DF23MR12W1M1B11BOMA1

制造商编号:
DF23MR12W1M1B11BOMA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET MODULE 1200V 25A
规格说明书:
DF23MR12W1M1B11BOMA1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 托盘

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 托盘
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss): 1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45 毫欧 @ 25A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.5V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 620nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2000pF @ 800V
功率 - 最大值: 20mW
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: AG-EASY1BM-2
标准包装: 24

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DF23MR12W1M1B11BOMA1

型号:DF23MR12W1M1B11BOMA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET MODULE 1200V 25A

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