- 制造商编号：
- RRH100P03GZETB
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 描述：
- MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
- 规格说明书：
- RRH100P03GZETB说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥16.325277 | ￥16.33 |
| 10 | ￥14.560954 | ￥145.61 |
| 100 | ￥11.354087 | ￥1135.41 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 12.6 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 68 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3600 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 650mW（Ta） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-SOP |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装: | 2,500 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| SQ4425EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | ¥14.13000 | 类似 |
RRH100P03GZETB
型号：RRH100P03GZETB
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
库存：0
单价：
| 1+： | ￥16.325277 |
| 10+： | ￥14.560954 |
| 100+： | ￥11.354087 |
| 500+： | ￥9.379487 |
| 1000+： | ￥7.40485 |
| 2500+： | ￥6.9112 |
| 5000+： | ￥6.731684 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥16.33