JAN1N5551US

制造商编号:
JAN1N5551US
制造商:
Microchip微芯
描述:
DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF
规格说明书:
JAN1N5551US说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
100 80.637545 8063.75

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: Military, MIL-PRF-19500/420
包装: 散装
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 9 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 2 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SQ-MELF,B
供应商器件封装: D-5B
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
标准包装: 1

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JAN1N5551US

型号:JAN1N5551US

品牌:Microchip微芯

描述:DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

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