货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥3.058658 | ¥3.06 |
10 | ¥2.491687 | ¥24.92 |
100 | ¥1.323429 | ¥132.34 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 50 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 200mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 3.5 欧姆 @ 220mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.5V @ 250µA |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 50 pF @ 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 300mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-23-3 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装: | 3,000 |
BSS138Q-7-F
型号:BSS138Q-7-F
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
库存:0
单价:
1+: | ¥3.058658 |
10+: | ¥2.491687 |
100+: | ¥1.323429 |
500+: | ¥0.870449 |
1000+: | ¥0.591913 |
3000+: | ¥0.533885 |
6000+: | ¥0.464257 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥3.06