货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥4.114895 | ¥4.11 |
10 | ¥3.081042 | ¥30.81 |
100 | ¥1.74467 | ¥174.47 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Toshiba(东芝) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平栅极,1.5V 驱动 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 500mA |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 630 毫欧 @ 200mA,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 1.23nC @ 4V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 46pF @ 10V |
功率 - 最大值: | 200mW |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装: | US6 |
标准包装: | 3,000 |
SSM6N43FU,LF
型号:SSM6N43FU,LF
品牌:Toshiba东芝
描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6
库存:0
单价:
1+: | ¥4.114895 |
10+: | ¥3.081042 |
100+: | ¥1.74467 |
500+: | ¥1.155544 |
1000+: | ¥0.885911 |
3000+: | ¥0.770363 |
6000+: | ¥0.69332 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.11