货期: 8周-10周
封装: 托盘
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Microsemi(美高森美) |
系列: | CoolMOS™ |
包装: | 托盘 |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | 3 N 沟道(相角 + 升压斩波电路) |
FET 功能: | 超级结 |
漏源电压(Vdss): | 600V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 36A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 83 毫欧 @ 24.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 3mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 250nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 7200pF @ 25V |
功率 - 最大值: | 250W |
工作温度: | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 底座安装 |
封装/外壳: | SP1 |
供应商器件封装: | SP1 |
标准包装: | 1 |
APTC60AM83B1G
型号:APTC60AM83B1G
品牌:Microsemi美高森美
描述:MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00