库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 450 | ￥27.791736 | ￥12506.28 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | SuperFET® II |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 37A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 99 毫欧 @ 18.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 114 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3465 pF @ 380 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 357W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-247-3 |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 标准包装: | 450 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IPW65R125C7XKSA1 | Rochester Electronics, LLC | ¥37.96946 | 类似 |
| STW30N65M5 | STMicroelectronics | ¥51.07000 | 类似 |
| IXKH35N60C5 | IXYS | ¥89.24000 | 直接 |
| APT30N60BC6 | Microchip Technology | ¥44.85000 | 类似 |
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | ¥53.76000 | 类似 |
FCH099N60E
型号：FCH099N60E
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
库存：0
单价：
| 450+： | ￥27.791736 |
货期：1-2天
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