货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
500 | ¥39.976349 | ¥19988.17 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | OptiMOS™ |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 120 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 120A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 4.1 毫欧 @ 100A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 270µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 211 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 13800 pF @ 60 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 300W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | PG-TO262-3 |
封装/外壳: | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
标准包装: | 500 |
IPI041N12N3GAKSA1
型号:IPI041N12N3GAKSA1
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
库存:0
单价:
500+: | ¥39.976349 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00