NTD4970N-1G

制造商编号:
NTD4970N-1G
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 30V 38A IPAK
规格说明书:
NTD4970N-1G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
995 2.378219 2366.33

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.5A(Ta),36A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.2 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 774 pF @ 15 V
FET 功能: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: I-PAK
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
标准包装: 75

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NTD4970N-1G

型号:NTD4970N-1G

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 30V 38A IPAK

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