货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥4.774491 | ¥4.77 |
10 | ¥3.84819 | ¥38.48 |
100 | ¥2.622116 | ¥262.21 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Toshiba(东芝) |
系列: | U-MOSIII |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.5A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 2.5V,4V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 160 毫欧 @ 750mA,4V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.1V @ 100µA |
Vgs(最大值): | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 125 pF @ 10 V |
FET 功能: | 肖特基二极管(隔离式) |
功率耗散(最大值): | 500mW(Ta) |
工作温度: | 150°C |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | UFV |
封装/外壳: | 6-SMD(5引线),扁引线 |
标准包装: | 3,000 |
SSM5H08TU,LF
型号:SSM5H08TU,LF
品牌:Toshiba东芝
描述:MOSFET N-CH 20V 1.5A UFV
库存:0
单价:
1+: | ¥4.774491 |
10+: | ¥3.84819 |
100+: | ¥2.622116 |
500+: | ¥1.966319 |
1000+: | ¥1.474733 |
3000+: | ¥1.35184 |
6000+: | ¥1.269915 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.77