货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | MDmesh™ II |
包装: | 管件 |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 29A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 105 毫欧 @ 14.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 83.6 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2722 pF @ 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 210W(Tc) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-247-3 |
封装/外壳: | TO-247-3 |
标准包装: | 30 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | ¥59.75000 | 类似 |
AOK42S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥52.53000 | 类似 |
IXFX48N60Q3 | IXYS | ¥215.95000 | 类似 |
IXKH35N60C5 | IXYS | ¥89.24000 | 类似 |
APT30N60BC6 | Microchip Technology | ¥44.85000 | 类似 |
STW36NM60N
型号:STW36NM60N
品牌:ST意法半导体
描述:MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00