APTM100A13SG

制造商编号:
APTM100A13SG
制造商:
Microchip微芯
描述:
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
规格说明书:
APTM100A13SG说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 2492.818883 2492.82

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 1000V(1kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 65A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 156 毫欧 @ 32.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 562nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 15200pF @ 25V
功率 - 最大值: 1250W
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SP6
供应商器件封装: SP6
标准包装: 1

客服

购物车

APTM100A13SG

型号:APTM100A13SG

品牌:Microchip微芯

描述:MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

库存:0

单价:

1+: ¥2492.818883

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥2492.82