ES3GBHR5G

制造商编号:
ES3GBHR5G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
规格说明书:
ES3GBHR5G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR)
零件状态: Digi-Key 停止提供
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.13 V @ 3 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: 41pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AA,SMB
供应商器件封装: DO-214AA(SMB)
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 850

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
ES2G-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.53000 类似
CMR2U-04 TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp ¥6.91000 类似
CMR1-04 TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp ¥3.46000 类似
MURS340SHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.38000 类似
S2G onsemi ¥3.69000 类似

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ES3GBHR5G

型号:ES3GBHR5G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

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