库存 ：43480
货期： 国内（1~2天）
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.675022 | ￥4.68 |
| 10 | ￥3.48513 | ￥34.85 |
| 100 | ￥1.9747 | ￥197.47 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Nexperia(安世) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 680mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 850 毫欧 @ 400mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 1.14 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 87 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 360mW（Ta），2.7W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | DFN1006B-3 |
| 封装/外壳: | 3-XFDFN |
| 标准包装: | 10,000 |
PMZB670UPE,315
型号：PMZB670UPE,315
品牌：Nexperia安世
描述：MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
库存：43480
单价：
| 1+： | ￥4.675022 |
| 10+： | ￥3.48513 |
| 100+： | ￥1.9747 |
| 500+： | ￥1.307763 |
| 1000+： | ￥1.002593 |
| 2000+： | ￥0.87178 |
| 5000+： | ￥0.784608 |
| 10000+： | ￥0.697424 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.68