货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥29.977337 | ¥29.98 |
10 | ¥26.95598 | ¥269.56 |
100 | ¥21.667609 | ¥2166.76 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ON(安森美) |
系列: | QFET® |
包装: | 管件 |
零件状态: | 最后售卖 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 800 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.55 欧姆 @ 4A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 45 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2050 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 59W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220F-3 |
封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
标准包装: | 1,000 |
FQPF8N80C
型号:FQPF8N80C
品牌:ON安森美
描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
库存:0
单价:
1+: | ¥29.977337 |
10+: | ¥26.95598 |
100+: | ¥21.667609 |
500+: | ¥17.801938 |
1000+: | ¥16.183647 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥29.98