FQPF8N80C

制造商编号:
FQPF8N80C
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
规格说明书:
FQPF8N80C说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 29.977337 29.98
10 26.95598 269.56
100 21.667609 2166.76

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: QFET®
包装: 管件
零件状态: 最后售卖
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.55 欧姆 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 45 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2050 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 59W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220F-3
封装/外壳: TO-220-3 整包
标准包装: 1,000

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FQPF8N80C

型号:FQPF8N80C

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO220F

库存:0

单价:

1+: ¥29.977337
10+: ¥26.95598
100+: ¥21.667609
500+: ¥17.801938
1000+: ¥16.183647

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