SCT3022ALGC11

制造商编号:
SCT3022ALGC11
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
SICFET N-CH 650V 93A TO247N
规格说明书:
SCT3022ALGC11说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 441.814476 441.81
10 412.21139 4122.11
100 357.903421 35790.34

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 93A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 28.6 毫欧 @ 36A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.6V @ 18.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 133 nC @ 18 V
Vgs(最大值): +22V,-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2208 pF @ 500 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 339W(Tc)
工作温度: 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247N
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 450

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
MSC015SMA070B Microchip Technology ¥250.51000 类似
IXFX120N65X2 IXYS ¥186.92000 类似
IXTX102N65X2 IXYS ¥152.06000 类似

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SCT3022ALGC11

型号:SCT3022ALGC11

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:SICFET N-CH 650V 93A TO247N

库存:0

单价:

1+: ¥441.814476
10+: ¥412.21139
100+: ¥357.903421

货期:1-2天

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