IKB30N65ES5ATMA1

制造商编号:
IKB30N65ES5ATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
IGBT TRENCH/FS 650V 62A D2PAK
规格说明书:
IKB30N65ES5ATMA1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1000 25.532821 25532.82

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: TrenchStop™ 5
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 62 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.7V @ 15V,30A
功率 - 最大值: 188 W
开关能量: 560µJ(开),320µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 70 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 17ns/124ns
测试条件: 400V,30A,13 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 75 ns
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: PG-TO263-3
标准包装: 1,000

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IKB30N65ES5ATMA1

型号:IKB30N65ES5ATMA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:IGBT TRENCH/FS 650V 62A D2PAK

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