MURTA500120R

制造商编号:
MURTA500120R
制造商:
GeneSiC基因半导体公司
描述:
DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER
规格说明书:
MURTA500120R说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
48 1662.923418 79820.32

规格参数

属性 参数值
制造商: GeneSiC(基因半导体公司)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 在售
二极管配置: 1 对共阳极
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 250A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.6 V @ 250 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 1200 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 三塔
供应商器件封装: 三塔
标准包装: 24

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MURTA500120R

型号:MURTA500120R

品牌:GeneSiC基因半导体公司

描述:DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER

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