货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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30 | ¥1038.11192 | ¥31143.36 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | IXYS(艾赛斯) |
系列: | - |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | SiCFET(碳化硅) |
漏源电压(Vdss): | 1200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 90A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 20V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 34 毫欧 @ 50A,20V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 15mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 160 nC @ 20 V |
Vgs(最大值): | +20V,-5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2790 pF @ 1000 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | - |
工作温度: | -40°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | TO-268AA(D3Pak-HV) |
封装/外壳: | TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA |
标准包装: | 30 |
MCB60I1200TZ-TUB
型号:MCB60I1200TZ-TUB
品牌:IXYS艾赛斯
描述:SICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AA
库存:0
单价:
30+: | ¥1038.11192 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00