MCB60I1200TZ-TUB

制造商编号:
MCB60I1200TZ-TUB
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
SICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AA
规格说明书:
MCB60I1200TZ-TUB说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
30 951.699514 28550.99

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss): 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 34 毫欧 @ 50A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 15mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 160 nC @ 20 V
Vgs(最大值): +20V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2790 pF @ 1000 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-268AA(D3Pak-HV)
封装/外壳: TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
标准包装: 30

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MCB60I1200TZ-TUB

型号:MCB60I1200TZ-TUB

品牌:IXYS艾赛斯

描述:SICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AA

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